型号:

SI5482DU-T1-E3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SI5482DU-T1-E3 PDF
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 15 毫欧 @ 7.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 51nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1610pF @ 15V
功率 - 最大 31W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? CHIPFET? 单
供应商设备封装 PowerPAK? ChipFET 单通道
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI5482DU-T1-E3TR
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